高通骁龙835规格曝光:3GHz主频 8核设计

高通旗舰处理器骁龙835已经曝光多次,该处理将采用三星10nm制程。现在又有网友曝光了骁龙835规格参数,称骁龙835的主频为3.0GHz,并采用八核设计。

高通骁龙835规格曝光:3GHz主频 8核设计

高通骁龙835规格曝光(图片来自kkj)

爆料称,骁龙835将采用10nm八核心设计,大小核均为Kryo架构,大核心频率3GHz,小核心频率2.4GHz,GPU为Adreno 540,支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存,整合了Cat.16基带。

高通方面还透露,骁龙835处理器还将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术。其充电5分钟可以延长手机使用时长5小时,充电效率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持,适配范围更广泛。

虽然高通表示搭载骁龙835会在明年初出货,但要到明年二季度才能看到骁龙835手机。对此业内人士猜测,此次高通与三星合作研发,很可能意味着三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835。根据早前消息三星S8的发布会时间确定为MWC2017年之前,也就是2017年2月26日前后。另按照此前生产手机的流程,三星现在已经向零组件供应商下订单出货,生产工作会在年底前开始。

除了骁龙835,还有一款骁龙660也将在明年发布,该处理器同样是八核心设计,不过制程工艺换成了14nm,架构为A73和A53组合,GPU为Adreno 512,支持2K屏。其余规格还包括双通道LPDDR4x内存、LTE Cat.10基带,QC4.0、以及UFS 2.1等等。

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